MMUN2230LT1G دیتاشیت

MUN5230T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN5230T1G
حجم فایل 88.601 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت MUN5230T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi MMUN2230LT1G
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 246mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 3@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه